WLCSP亦即晶圓級芯片封裝方式，英文全稱是Wafer-Level Chip Scale Packaging Technology，不同于傳統的芯片封裝方式(先切割再封測，而封裝后至少增加原芯片20%的體積)，此種最新技術是先在整片晶圓上進行封裝和測試，然后才切割成一個個的IC顆粒，因此封裝后的體積即等同IC裸晶的原尺寸。它號稱是封裝技術的未來主流，已投入研發的廠商包括FCT、Aptos、卡西歐、EPIC、富士通、三菱電子等。

　　它在結束前端晶圓制作流程的晶圓上直接完成所有的操作。在封裝過程中再將芯片從晶圓上分離，從而使WLCSP可以實現與芯片尺寸相同的最小的封裝體積，這幾乎是最終的封裝縮微技術。

　　晶圓級芯片規模封裝技術，融合薄膜無源器件技術及大面積規格制造技術能力，不僅提供節省成本的解決辦法，而且提供與現存表面貼裝組裝過程相符合的形狀因素。芯片規模封裝技術既提供性能改進路線圖，又降低了集成無源器件的尺寸。

　　自1998年可行性的WLCSP技術宣布以來，近年市場上已經出現了各種不同類型的WLCSP。這種技術已經使用在移動電子設備中，比如用于移動電話的電源供給芯片，并且延伸到邏輯產品的應用中。

　　WLCSP是倒裝芯片互連技術的一個變種。借助WLCSP技術，裸片的有源面被倒置，并使用焊球連接到PCB。這些焊球的尺寸通常足夠大(在0.5mm間距、預回流焊時有300μm)，可省去倒裝芯片互連所需的底部填充工藝。如圖1所示，

　　圖1：WLCSP封裝。

　　IC封裝結構

　　WLCSP可以被分成兩種結構類型：直接凸塊和重分布層(RDL)

　　直接凸塊

　　直接凸塊WLCSP包含一個可選的有機層(聚酰亞胺)，這個層用作有源裸片表面上的應力緩沖器。聚酰亞胺覆蓋了除連接焊盤四周開窗區域之外的整個裸片面積。在這個開窗區域之上濺射或電鍍凸塊下金屬層(UBM)。UBM是不同金屬層的堆疊，包括擴散層、勢壘層、潤濕層和抗氧化層。焊球落在UBM之上(因此叫落球)，然后通過回流焊形成焊料凸塊。

　　重分布層(RDL)

      重分布層(RDL)WLCSP這種技術可以將為邦定線(邦定焊盤安排在四周)而設計的裸片轉換成WLCSP。與直接凸塊不同的是，這種WLCSP使用兩層聚酰亞胺層。第一層聚酰亞胺層沉積在裸片上，并保持邦定焊盤處于開窗狀態。RDL層通過濺射或電鍍將外圍陣列轉換為區域陣列。隨后的結構類似直接凸塊——包括第二個聚酰亞胺層、UBM和落球。

　　WLCSP的優點：

　　WLCSP的封裝方式，不僅有效地縮小內存模塊尺寸，而符合行動裝置對于機體空間的高密度需求;另一方面在性能的表現上，更提升了數據傳輸的速度與穩定性。無需底部填充工藝，可以使用標準的SMT組裝設備。

　　1.原芯片尺寸最小封裝方式：

　　WLCSP晶圓級芯片封裝方式的最大特點便是有效地縮減封裝體積，封裝外形更加輕薄。故可搭配于行動裝置上而符合可攜式產品輕薄短小的特性需求。

     2.數據傳輸路徑短、穩定性高：

　　采用WLCSP封裝時，由于電路布線的線路短且厚(標示A至B的黃線)，故可有效增加數據傳輸的頻寛減少電流耗損，也提升數據傳輸的穩定性。由于輕質裸片在焊接過程中具有自我校準特性，因此組裝良率較高。

　　3.散熱特性佳

　　由于WLCSP少了傳統密封的塑料或陶瓷包裝，故IC芯片運算時的熱能便能有效地發散，而不致增加主機體的溫度，而此特點對于行動裝置的散熱問題助益極大。能減小電感、提高電氣性能。

　　WLCSP不僅能實現高密度、高性能封裝和SiP的重要技術，同時也將在器件嵌入PCB技術中起關鍵作用。盡管引線鍵合工藝非常成熟、靈活，但是WLCSP技術的多層電路、精細線路圖形、以及能與引線鍵合結合的特點，表明它將具有更廣泛的應用和新的機遇。

　　WLCSP的缺點：WLCSP成本來源于晶圓片或封裝加工過程。而需要大面積生產的話就需要增加勞動量。就會相應的增加生產的成本。

　　WLCSP技術的未來

　　WLCSP在2000年應用在電子手表中之后，已經應用在手機、存儲卡、汽車導航儀、數碼設備中。未來幾年中，在手機這樣的高性能移動市場中，會更多采用WLCSP技術的芯片。

　　將WLCSP技術和芯片嵌入PCB工藝結合，可以確保PCB組裝質量的穩定，這是因為WLCSP不僅易于進行PCB板貼裝，而且具有“已知優良芯片(KGD，Known Good Die)”的特性。

　　WLCSP技術為實現生產輕薄和小巧電子設備帶來了更多的可能性。WLCSP已經應用在電路板組裝上，近來它也成為SiP的重要組成部分，結合WLCSP和常規引線鍵合技術的MCP也已經進入量產。

　　看著WLCSP這幾年的發展，我們完全可以相信不久之后WLCSP將不斷的發展，擴展到更多的領域。