IC封裝基板廠家講解：芯片封裝技術大全
1、BGA ball
grid array
也稱CPAC(globe
top pad array carrier)。球形觸點陳列，外表貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列形式制造出球形凸點用以接替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI
芯片，而后用模型壓成天然樹脂或灌封辦法施行嚴密封閉。也稱為凸點陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP(四側引腳扁平封裝)小。例如，引腳核心距為1.5mm的360引腳BGA僅為31mm見方;而引腳核心距為0.5mm的304
引腳QFP 為40mm 見方。并且BGA無須擔心QFP
那樣子的引腳變型問題。
該封裝是美國摩托ola
企業研發的，首先在便攜式電話等設施中被認為合適而使用，隨即在私人計算機中普及。起初，BGA
的引腳(凸點)核心距為1.5mm，引腳數為225。如今也有一點LSI
廠家正在研發500 引腳的BGA。BGA
的問題是回流焊后的外觀查緝。美國摩托ola企業把用模型壓成天然樹脂嚴密封閉的封裝稱為MPAC，而把灌封辦法嚴密封閉的封裝稱為GPAC。
2、C-(ceramic)
表達瓷陶封裝的記號。例如，CDIP
表達的是瓷陶DIP。是在實際中常常運用的記號。
3、COB
(chip on board)
板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術之一，半導體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連署用引線縫合辦法成功實現，并用天然樹脂遮蓋以保證靠得住性。固然COB
是最簡單的裸芯片貼裝技術，但它的封裝疏密程度遠還不如TAB和倒片焊技術。
4、DIP(dual
in-line package)
DIP(dual
in-line package) 雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有分子化合物塑料和瓷陶兩種。歐羅巴洲半導體廠家多用DIL。DIP
是最普及的插裝型封裝，應用范圍涵蓋標準思維規律IC，貯存器LSI，徽標電路等。引腳核心距2.54mm，引腳數從6
到64。封裝寬度一般為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm
的封裝作別稱為SK-DIP(skinny dual in-line package) 和SL-DIP(slim dual in-line
package)窄體格DIP。但大多數事情狀況下并不加區別，只簡單地統稱為DIP。額外，用低熔點玻璃嚴密封閉的瓷陶DIP也稱為Cerdip(4.2)。
4.1
DIC(dual in-line ceramic package)
4.2
Cerdip：
用玻璃嚴密封閉的瓷陶雙列直插式封裝，用于ECL
RAM，DSP(數碼信號處置器)等電路。帶有玻璃窗戶的Cerdip
用于紫外光擦除型EPROM 以及內里帶有EPROM 的徽標電路等。引腳核心距2.54mm，引腳數從8
到42。在東洋，此封裝表達為DIP-G(G即玻璃嚴密封閉的意思)。
4.3
SDIP (shrink dual in-line package)
收縮型DIP。插裝型封裝之一，式樣與DIP
相同，但引腳核心距(1.778mm)小于DIP(2.54mm)
故而得此人稱。引腳數從14
到90。有瓷陶和分子化合物塑料兩種。又叫作SH-DIP(shrink
dual in-line package)
5、flip-chip
倒焊芯片。裸芯片封裝技術之一，在LSI
芯片的電極區制造好金屬凸點，而后把金屬凸點與印刷基板上的電極區施行壓焊連署。封裝的霸占平面或物體表面的大小基本上與芯片尺寸相同。是全部封裝技術中大小最小、最薄的一種。但假如基板的熱體脹系數與LSI
芯片不一樣，便會在結合處萌生反響，因此影響連署的靠得住性。因為這個務必用天然樹脂來加固LSI
芯片，并運用熱體脹系數基本相同的基板料料。
6、FP(flat
package)
扁平封裝。外表貼裝型封裝之一。QFP
或SOP(見QFP 和SOP)的別號。局部半導體廠家認為合適而使用此名字。
7、H-(with
heat sink)
表達帶散熱裝置的標記。例如，HSOP
表達帶散熱裝置的SOP。
8、MCM(multi-chip
module) 多芯片組件
將多塊半導體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。依據基板料料可分為MCM-L，MCM-C
和MCM-D 三大類。
MCM-L
是運用一般的玻璃環氧氣天然樹脂多層印刷基板的組件。布線疏密程度不怎么高，成本較低。
MCM-C
是用厚膜技術形成多層布線，以瓷陶(氧氣化鋁或玻璃瓷陶)作為基板的組件，與運用多層瓷陶基板的厚膜混合IC 大致相似。兩者無表面化區別。布線疏密程度高于MCM-L。
MCM-D
是用薄膜技術形成多層布線，以瓷陶(氧氣化鋁或氮化鋁)或Si、Al 作為基板的組件。布線秘密計劃在三種組件中是無上的，但成本也高。
9、P-(plastic)
表達分子化合物塑料封裝的記號。如PDIP
表達分子化合物塑料DIP。
10、Piggy
back
馱載封裝。指配有插座的瓷陶封裝，形關與DIP、QFP、QFN
相仿。在研發帶有徽標的設施時用于名聲手續明確承認操作。例如，將EPROM
插進去插座施行調整。這種封裝基本上都是定制品，市場上不怎么流通。
11、QFP(quad
flat package) 四側引腳扁平封裝
外表貼裝型封裝之一，引腳從四個側面引出呈海鷗翼(L)型。基材有瓷陶、金屬和分子化合物塑料三種。從數目上看，分子化合物塑料封裝占絕大多。當沒有尤其表達出材料時，大多數事情狀況為分子化合物塑料QFP。分子化合物塑料QFP
是最普及的多引腳LSI 封裝。不止用于微處置器，門陳列等數碼思維規律LSI
電路，并且也用于VTR 信號處置、音響信號處置等摹擬LSI 電路。引腳核心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm
等多種規格。0.65mm
核心距規格中最多引腳數為304。
有的LSI
廠家把引腳核心距為0.5mm 的QFP 專門稱為收縮型QFP 或SQFP、VQFP。但有的廠家把引腳核心距為0.65mm
及0.4mm 的QFP 也稱為SQFP，至使名字稍有一點沒秩序。
額外依照JEDEC(美國聯手電子設施委員會)標準把引腳核心距為0.65mm、本體厚度為3.8mm～2.0mm的QFP稱為MQFP(metric
quad flat package)。東洋電子機械工業會標準所規定引腳核心距.55mm、0.4mm、0.3mm 等小于0.65mm 的QFP稱為QFP(FP)
(QFP fine pitch)，小核心距QFP。又叫作FQFP(fine pitch quad flat
package)。但如今東洋電子機械工業會對QFP的外形規格施行了從新名聲。在引腳核心距上不加差別，而是依據封裝本體厚度分為QFP(2.0mm～3.6mm
厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三種。
QFP
的欠缺是，當引腳核心距小于0.65mm 時，引腳容易屈曲。為了避免引腳變型，現已顯露出來了幾種改進的QFP
品種。如封裝的四個角帶有樹指緩和沖突墊的BQFP(見11.1);帶天然樹脂盡力照顧環遮蓋引腳前端的GQFP;在封裝本體里設置測試凸點、放在避免引腳變型的專用夾具里就可施行測試的TPQFP。在思維規律LSI
方面，不少研發品和高靠得住品都封裝在多層瓷陶QFP 里。引腳核心距最小為0.4mm、引腳數最多為348
的產品也已問世。這個之外，也有用玻璃嚴密封閉的瓷陶QFP(見11.9)。
11.1
BQFP(quad flat package with bumper)
帶緩和沖突墊的四側引腳扁平封裝。QFP
封裝之一，在封裝本體的四個角設置突起(緩和沖突墊)以避免在運輸過程中引腳發生屈曲變型。美國半導體廠家主要在微處置器和ASIC
等電路中認為合適而使用此封裝。引腳核心距0.635mm，引腳數從84
到196左右。
11.2
QIC(quad in-line ceramic package)
瓷陶QFP
的別號。局部半導體廠家認為合適而使用的名字。
11.3
QIP(quad in-line plastic package)
分子化合物塑料QFP
的別號。局部半導體廠家認為合適而使用的名字。
11.4
PFPF(plastic flat package)
分子化合物塑料扁平封裝。分子化合物塑料QFP
的別號。局部LSI
廠家認為合適而使用的名字。
11.5
QFH(quad flat high package)
四側引腳厚體扁平封裝。分子化合物塑料QFP
的一種，為了避免封裝本體斷開，QFP 本體制造得較厚。局部半導體廠家認為合適而使用的名字。
11.6
CQFP(quad fiat package with guard ring)
帶盡力照顧環的四側引腳扁平封裝。分子化合物塑料QFP
之一，引腳用天然樹脂盡力照顧環掩蔽，以避免屈曲變型。在把LSI
組裝在印刷基板上之前，從盡力照顧環處截斷引腳并使其變成海鷗翼狀(L 式樣)。這種封裝在美國摩托ola
企業已批量出產。引腳核心距0.5mm，引腳數最多為208
左右。
11.7
MQUAD(metal quad)
美國Olin
企業研發的一種QFP 封裝。基板與封蓋均認為合適而使用鋁材，用黏合劑嚴密封閉。在天然空冷條件下可容許2.5W～2.8W
的功率。東洋新光電氣工業企業于1993
年取得特許著手出產。11.8
L-QUAD
瓷陶QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基熱傳導率比氧氣化鋁高7～8
倍，具備較好的散熱性。封裝的框架用氧氣化鋁，芯片用灌封法嚴密封閉，因此制約了成本。是為思維規律LSI
研發的一種封裝，在天然空冷條件下可容許W3的功率。現已研發出了208 引腳(0.5mm 核心距)和160 引腳(0.65mm 核心距)的LSI
思維規律用封裝，并于1993 年10 月著手投入批量出產。
11.9
Cerquad
外表貼裝型封裝之一，即用下嚴密封閉的瓷陶QFP，用于封裝DSP
等的思維規律LSI 電路。帶有窗戶的Cerquad
用于封裝EPROM 電路。散熱性比分子化合物塑料QFP
好，在天然空冷條件下可容許1.5～2W的功率。但封裝成本比分子化合物塑料QFP
高3～5 倍。引腳核心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm0.4mm
等多種規格。引腳數從32
到368。
12、QFG
(quad flat J-leaded package)四側J 形引腳扁平封裝
外表貼裝封裝之一。引腳從封裝四個側面引出，向下呈J
字形。是東洋電子機械工業會規定的名字。引腳核心距1.27mm。材料有分子化合物塑料和瓷陶兩種。
分子化合物塑料QFJ 大多數事情狀況稱為PLCC(plastic leaded chip
carrier)，用于徽標、門陳列、DRAM、ASSP、OTP 等電路。引腳數從18
至84。
瓷陶QFJ 也稱為CLCC(ceramic leaded chip
carrier)、JLCC(J-leaded chip carrier)。帶窗戶的封裝用于紫外光擦除型EPROM
以及帶有EPROM 的徽標芯片電路。引腳數從32
至84。
13、QFN(quad
flat non-leaded package)
QFN(quad
flat non-leaded package)
四側無引腳扁平封裝,外表貼裝型封裝之一，是高速和高頻IC 用封裝。如今多稱為LCC。QFN
是東洋電子機械工業會規定的名字。封裝四側配備布置有電極觸點，因為無引腳，貼裝霸占平面或物體表面的大小比QFP
小，高度比QFP低。不過，當印刷基板與封裝之間萌生應力時，在電極接觸處就不可以獲得緩解。因為這個電極觸點不易于做到QFP的引腳那樣子多，普通從14
到100 左右。
材料有瓷陶和分子化合物塑料兩種。當有LCC
標記時基本上都是瓷陶QFN。電極觸點核心距1.27mm。分子化合物塑料QFN
是以玻璃環氧氣天然樹脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸點核心距除1.27mm
外，還有0.65mm 和0.5mm 兩種。這種封裝也稱為分子化合物塑料LCC、PCLC、P-LCC 等。13.1
PCLP(printed circuit board leadless package)
印刷電路板無引線封裝。東洋富士通企業對分子化合物塑料QFN(分子化合物塑料LCC)認為合適而使用的名字。引腳核心距有0.55mm
和0.4mm 兩種規格。到現在為止正處于研發階段。
13.2
P-LCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip
currier)
有時是分子化合物塑料QFJ
的別號，有時是QFN(分子化合物塑料LCC)的別號(見QFJ 和QFN)。局部LSI
廠家用PLCC 表達帶引線封裝，用P-LCC 表達無引線封裝，以示差別。
14、QFI(quad
flat I-leaded packgage)四側I 形引腳扁平封裝
外表貼裝型封裝之一。引腳從封裝四個側面引出，向下呈I
字。也稱為MSP(mini
square package)。貼裝與印刷基板施行碰焊連署。因為引腳無冒尖局部，貼裝霸占平面或物體表面的大小小于QFP。日立制造所為視頻文件摹擬IC
研發并運用了這種封裝。這個之外，東洋的摩托ola
企業的PLL IC也認為合適而使用了此種封裝。引腳核心距1.27mm，引腳數從18
于68。
15、TCP(Tape
Carrier Package)薄膜封裝TCP技術
TCP(Tape
Carrier Package)主要用于Intel
Mobile Pentium MMX上。認為合適而使用TCP封裝技術的CPU的發卡路里相對于當初的平常的PGA線腳陣列型CPU要小得多，使用在筆記本電腦上可以減小附帶加上散熱器的大小，增長主機的空間利用率，因為這個多見于一點超玩弄筆記本電腦中。但因為TCP封裝是將CPU直接燒焊在主板上，因為這個平常的用戶是沒有辦法改易的。
15.1
DTCP(dual tape carrier package)
雙側引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳制造在絕緣帶上并從封裝兩側引出。因為利用的是TAB(半自動帶載燒焊)技術，封裝外形十分薄。常用于液態晶體顯露驅動LSI，但大多數為定制品。
額外，0.5mm
厚的儲存器LSI 簿形封裝正處于研發階段。在東洋，依照EIAJ(東洋電子機械工業)會標準規定，將DTCP
起名稱為DTP。
15.2
QTCP(quad tape carrier package)
四側引腳帶載封裝。TCP封裝之一，在絕緣帶上形成引腳并從封裝四個側面引出。是利用TAB技術的薄型封裝。在東洋被稱為QTP(quad
tape carrier package)。
15.3
Tape Automated Bonding (TAB)卷帶半自動接合技術
Tape
Automated Bonding
(TAB)卷帶半自動接合是一種將多接腳大規模集成電路器(IC)的芯片(Chip)，不再先施行傳統封裝變成完整的個體，而改用TAB載體，直接將未封芯片黏裝在板面上。即采'聚亞醯胺'(Polyimide)之軟質卷帶，及所附銅箔蝕成的里外引腳當成載體，讓大型芯片先接合在'內引腳'上。經半自動測試后再以'外引腳'對電路板面施行接合而完成組裝。這種將封裝及組裝合而為一的新型構裝法，即稱為TAB法。16、PGA(pin
grid array)
陳列引腳封裝。插裝型封裝之一，其底面的鉛直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都認為合適而使用多層瓷陶基板。在未專門表達出材料名字的事情狀況下，大多數為瓷陶PGA，用于高速大規模思維規律LSI
電路。成本較高。引腳核心距一般為2.54mm，引腳長約3.4mm，引腳數從64
到447 左右。為減低成本，封裝基材可用玻璃環氧氣天然樹脂印刷基板接替。也有64～256
引腳的分子化合物塑料PGA。額外，還有一種引腳核心距為1.27mm，
引腳長度1.5mm~2.0mm的短引腳外表貼裝型PGA(碰焊PGA)， 比插裝型PGA
小二分之一，所以封裝本體可制造得不怎么大，而引腳數比插裝型多(250～528)。
17、LGA(land
grid array)
觸點陳列封裝。即在底面制造有陣列狀況坦電極觸點的封裝。裝配時插進去插座即可。現已實用的有227
觸點(1.27mm 核心距)和447 觸點(2.54mm 核心距)的瓷陶LGA，應用于高速思維規律LSI 電路。LGA
與QFP 相形，能夠以比較小的封裝容受更多的輸入輸出引腳。額外，因為引線的阻抗小，對于高速LSI
是很適合使用的。
18、芯片上引線封裝
LSI
封裝技術之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結構，芯片的核心近旁制造有凸焊點，用引線縫合施行電氣連署。與原來把引線框架安置在芯片側面近旁的結構相形，在相同體積的封裝中容受的芯片達1mm
左右寬度。
19、QUIP(quad
in-line package)
四列引腳直插式封裝，又叫作QUIL(quad
in-line)。引腳從封裝兩個側面引出，每隔一根交叉向下屈曲成四列。引腳核心距1.27mm，當插進去印刷基板時，插進去核心距就成為2.5mm。因為這個可用于標準印刷線路板。是比標準DIP
更小的一種封裝。東洋電氣企業在臺式計算機和家用電器產品等的徽標芯片中認為合適而使用了些種封裝。材料有瓷陶和分子化合物塑料兩種。引腳數64。20、SOP(small
Out-Line package)
小外形封裝。外表貼裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出呈海鷗翼狀(L
字形)。材料有分子化合物塑料和瓷陶兩種。額外也叫SOL(Small
Out-Line L-leaded package)、DFP(dual flat package)、SOIC(smallout-line integrated
circuit)、DSO(dual small out-lint)海外有很多半導體廠家認為合適而使用此名字。
SOP
除開用于儲存器LSI 外，也廣泛用于規模不太大的ASSP 等電路。在輸入輸出端子不超過10～40
的領域，SOP 是普及最廣的外表貼裝封裝。引腳核心距1.27mm，引腳數從8～44。
- 引腳核心距小于1.27mm
的SSOP(由大變小型SOP);
- 裝配高度不到1.27mm
的TSOP(薄小外形封裝);
- VSOP(甚小外形封裝);TSSOP(薄的由大變小型SOP);
- SOT(小外形結晶體管);帶有散熱片的SOP稱為HSOP;
- 局部半導體廠家把無散熱片的SOP
稱為SONF(Small Out-Line Non-Fin);
- 局部廠家把寬體SOP稱為SOW
(SmallOutlinePackage(Wide-Jype)
21、MFP(mini
flat package)小形扁平封裝
分子化合物塑料SOP
或SSOP 的別號。局部半導體廠家認為合適而使用的名字。
22、SIMM(single
in-line memory module)
SIMM(single
in-line memory module)單列貯存器組件。只在印刷基板的一個側面近旁配有電極的貯存器組件。一般指插進去插座的組件。標準SIMM
有核心距為2.54mm 的30 電極和核心距為1.27mm 的72 電極兩種規格。在印刷基板的單面或雙面裝有用SOJ
封裝的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已經在私人計算機、辦公站等設施中取得廣泛應用。至少有30～40百分之百的DRAM
都裝配在SIMM 里。
23、DIMM(Dual
Inline Memory Module)雙列直插內存板塊
DIMM(Dual
Inline Memory Module)與SIMM相當大致相似，不一樣的只是DIMM的金手指頭兩端不像SIMM那樣子是相互溝通的，他們各自獨立傳道輸送信號，因為這個可以滿意更大多數據信號的傳遞需求。一樣認為合適而使用DIMM，SDRAM
的接口與DDR內存的接口也略有不一樣，SDRAM DIMM為168Pin DIMM結構，金手指頭每面為84Pin，金手指頭上有兩個卡口，用來防止插進去插槽時，不正確將內存逆向插進去而造成焚燒毀滅;DDR
DIMM則認為合適而使用184Pin
DIMM結構，金手指頭每面有92Pin，金手指頭上只有一個卡口。卡口數目的不一樣，是二者最為表面化的差別。
DDR2
DIMM為240pin DIMM結構，金手指頭每面有120Pin，與DDR DIMM同樣金手指頭上也只有一個卡口，不過卡口的位置與DDR
DIMM略微有一點不一樣，因為這個DDR內存是插不進DDR2 DIMM的，同理DDR2內存也是插不進DDR DIMM的，因為這個在一點同時具備DDR
DIMM和DDR2 DIMM的主板上，不會顯露出來將內存插錯插槽的問題。
24、SIP(single
in-line package)
SIP(single
in-line package)單列直插式封裝。歐羅巴洲半導體廠家多認為合適而使用SIL
(single in-line)這個名字。引腳從封裝一個側面引出，排列成一條直線。當裝配到印刷基板上時封裝呈側立狀。引腳核心距一般為2.54mm，引腳數從2
至23，大多數為定制產品。封裝的式樣各異。也有的把式樣與ZIP
相同的封裝稱為SIP。
25、SMD(surface
mount devices)
SMD(surface
mount devices)外表貼裝部件。偶而，有的半導體廠家把SOP
歸為SMD。
26、SOI(small
out-line I-leaded package)
I
形引腳小外型封裝。外表貼裝型封裝之一。引腳從封裝雙側引出向下呈I
字形，核心距1.27mm。貼裝霸占平面或物體表面的大小小于SOP。日立企業在摹擬IC(電機驅挪用IC)中認為合適而使用了此封裝。引腳數26。
27、SOJ(Small
Out-Line J-Leaded Package)
SOJ(Small
Out-Line J-Leaded Package)J
形引腳小外型封裝。外表貼裝型封裝之一。引腳從封裝兩側引出向下呈J 字形，因此得名。一般為分子化合物塑料制品，大多數用于DRAM 和SRAM 等儲存器LSI
電路，但絕大多是DRAM。用SOJ封裝的DRAM
部件眾多都裝配在SIMM 上。引腳核心距1.27mm，引腳數從20
至40(見SIMM)。
28、TO
packageTO型封裝
它的底盤是一塊圓型金屬板，而后放上一片小玻璃并予加熱，使玻璃熔融后把引線固定在小孔，此小孔和引線的組合稱為頭座，于是先在頭座上頭鍍金，則因集成電路切片的底面也是鍍金，所以可藉金，鍺焊臘予以燒焊;燒焊時，先將頭座預熱，使置于那里面的焊臘絕對熔融，再將電路切片置于焊臘上，經冷卻后兩者就形成美好的結合。
