本創(chuàng)造牽涉到電路板印刷技術(shù)領(lǐng)域，特別牽涉到一種HDI多層板鐳射盲孔對(duì)位辦法。

環(huán)境技術(shù)：

在印制線路板行業(yè)中，出產(chǎn)高疏密程度互連印制線路板時(shí)，鐳射盲孔與圖形的對(duì)位問(wèn)題較難扼制。傳統(tǒng)的HDI多層板鐳射盲孔的對(duì)位加工形式是經(jīng)過(guò)機(jī)械鉆孔機(jī)運(yùn)用內(nèi)層靶孔作定位完成。

HDI多層板鐳射盲孔的實(shí)際加工精密度主要受以下兩方面影響：鐳射機(jī)本身的加工精密度、鐳射對(duì)位孔的精密度。鐳射對(duì)位孔傳統(tǒng)的加工形式是經(jīng)過(guò)靶沖機(jī)鉆出定位孔，而后運(yùn)用機(jī)械鉆孔完成，因?yàn)闄C(jī)械鉆孔機(jī)本身存在加工精密度誤差，存在鐳射對(duì)位偏差，因此減低了鐳射盲孔精密度。

技術(shù)成功實(shí)現(xiàn)要素：

本創(chuàng)造實(shí)行例所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，供給一種HDI多層板鐳射盲孔對(duì)位辦法，以使增長(zhǎng)鐳射盲孔精密度。

為理解決上面所說(shuō)的技術(shù)問(wèn)題，本創(chuàng)造實(shí)行例提出了一種HDI多層板鐳射盲孔對(duì)位辦法，涵蓋步驟：

A、開(kāi)料：依據(jù)所需尺寸裁切覆銅板，磨板邊待用；

B、內(nèi)層線路：裁切后的覆銅板通過(guò)內(nèi)層前處置后貼干膜，運(yùn)用負(fù)片菲林ccd暴光并腐刻出內(nèi)層線路圖形，獲得內(nèi)層芯板，那里面，內(nèi)層芯板邊四角還預(yù)設(shè)有等距x-ray靶子，右上角標(biāo)靶子識(shí)△防呆；

C、棕化：經(jīng)過(guò)化學(xué)反響，使銅面粗化和萌生一層平均棕色鈍化膜；

D、壓合：認(rèn)為合適而使用電壓機(jī)，利用過(guò)電銅箔萌生卡路里及真空和施增大壓力力，將PP片熔融把銅箔與內(nèi)層芯板粘拼湊形成復(fù)合板；

E、x-ray打靶：依據(jù)靶子數(shù)值，認(rèn)為合適而使用面償還定距打靶，一次性將鐳射對(duì)位孔鉆出；

F、激光鐳射：認(rèn)為合適而使用 UV鐳射機(jī)經(jīng)過(guò)鐳射對(duì)位孔定位，加工激光盲孔；

G、等離子：激光鐳射后，認(rèn)為合適而使用等離子除膠標(biāo)準(zhǔn)樣式將鐳射對(duì)位孔內(nèi)PP殘膠及盲孔底部的黑色氧氣化銅去除；

H、水準(zhǔn)沉銅：利用化學(xué)反響，在通過(guò)除膠后的盲孔上沉上銅，導(dǎo)通里外層線路。

進(jìn)一步地，所述步驟B中靶子核心距線內(nèi)層芯板板邊均為5mm。

進(jìn)一步地，所述鐳射對(duì)位孔有4個(gè)，那里面一個(gè)與標(biāo)識(shí)△防呆的靶子核心距為15mm，剩下3個(gè)鐳射對(duì)位孔作別與對(duì)應(yīng)的靶子核心的距離均為10mm。

本創(chuàng)造實(shí)行例的有好處效果為：省略了機(jī)械鉆孔加工鐳射對(duì)位孔的步驟，簡(jiǎn)化流程、減低成本的同時(shí)也防止因機(jī)械鉆孔本身的加工精密度誤差導(dǎo)致的鐳射偏位，大幅度增長(zhǎng)了多層板鐳射盲孔的精密度。

附圖解釋明白

圖1是本創(chuàng)造實(shí)行例的HDI多層板鐳射盲孔對(duì)位辦法的流程圖。

圖2是本創(chuàng)造實(shí)行例的4層HDI板的結(jié)構(gòu)概況圖。

具體實(shí)行形式

需求解釋明白的是，在不沖突的事情狀況下，本提出請(qǐng)求中的實(shí)行例及實(shí)行例中的特點(diǎn)標(biāo)志可以互相接合，下邊接合附圖和具體實(shí)行例對(duì)本創(chuàng)造作進(jìn)一步周密解釋明白。

本創(chuàng)造實(shí)行例中若得法向性指使（諸如上所述、下、左、右、前、后……）僅用于詮釋在某一特別指定姿勢(shì)（如附圖所示）下各器件之間的相對(duì)位置關(guān)系、運(yùn)動(dòng)事情狀況等，假如該特別指定姿勢(shì)發(fā)生變更時(shí)，則該方向性指使也相應(yīng)地隨之變更。

額外，在本創(chuàng)造中若牽涉到“第1”、“第二”等的描寫(xiě)僅用于描寫(xiě)目標(biāo)，而不可以了解為指使或暗中示意其相對(duì)關(guān)緊性還是隱含指明所指使的技術(shù)特點(diǎn)標(biāo)志的數(shù)目。由此，框定有“第1”、“第二”的特點(diǎn)標(biāo)志可以明示還是隱含地涵蓋至少一個(gè)該特點(diǎn)標(biāo)志。

請(qǐng)參考圖1，本創(chuàng)造實(shí)行例的HDI多層板鐳射盲孔對(duì)位辦法，涵蓋步驟：

A、開(kāi)料：依據(jù)所需尺寸裁切覆銅板，磨板邊待用；

B、內(nèi)層線路：裁切后的覆銅板通過(guò)內(nèi)層前處置后貼干膜，運(yùn)用負(fù)片菲林ccd暴光并腐刻出內(nèi)層線路圖形，獲得內(nèi)層芯板，那里面，內(nèi)層芯板邊四角還預(yù)設(shè)有等距x-ray靶子，右上角標(biāo)靶子識(shí)△防呆；

C、棕化：經(jīng)過(guò)化學(xué)反響，使銅面粗化和萌生一層平均棕色鈍化膜，以利于壓合后的接合力達(dá)到質(zhì)量要求；

D、壓合：認(rèn)為合適而使用電壓機(jī)，利用過(guò)電銅箔萌生卡路里及真空和施增大壓力力，將PP片熔融把銅箔與內(nèi)層芯板粘拼湊形成復(fù)合板；

E、x-ray打靶：依據(jù)靶子數(shù)值，認(rèn)為合適而使用面償還定距打靶，一次性將鐳射對(duì)位孔鉆出；

F、激光鐳射：認(rèn)為合適而使用 UV鐳射機(jī)經(jīng)過(guò)鐳射對(duì)位孔定位，加工激光盲孔；

G、等離子：激光鐳射后，認(rèn)為合適而使用等離子除膠標(biāo)準(zhǔn)樣式將鐳射對(duì)位孔內(nèi)PP殘膠及盲孔底部的黑色氧氣化銅去除；

H、水準(zhǔn)沉銅：利用化學(xué)反響，在通過(guò)除膠后的盲孔上沉上銅，導(dǎo)通里外層線路。

具體實(shí)行時(shí)，步驟E中，依據(jù)開(kāi)料尺寸，得出x-ray靶子及鐳射對(duì)位的具體坐標(biāo)值，挑選x-ray面償還定距鉆靶，輸入x-ray靶子及鐳射對(duì)位坐標(biāo)值，直接鉆出鐳射對(duì)位孔。步驟F中，UV鐳射機(jī)抓拍鐳射對(duì)位孔，經(jīng)過(guò)視物感覺(jué)定位，以加工盲孔。

如圖2所示，以4層HDI板為例，先依據(jù)所需尺寸裁切覆銅板，磨板邊待用；通過(guò)內(nèi)層前處置后貼干膜，運(yùn)用負(fù)片菲林ccd暴光并腐刻出內(nèi)層線路圖形，獲得內(nèi)層芯板（涵蓋圖中L2層、L3層及兩者半中腰的局部）；經(jīng)過(guò)化學(xué)反響，使銅面粗化和萌生一層平均棕色鈍化膜，以利于壓合后的接合力達(dá)到質(zhì)量要求；認(rèn)為合適而使用電壓機(jī)，利用過(guò)電銅箔萌生卡路里及真空和施增大壓力力，將PP片（L1層與L2層之間的局部以及L3層與L4層之間的局部）熔融把銅箔（L1層和L4層）與內(nèi)層芯板粘拼湊形成復(fù)合板；依據(jù)靶子數(shù)值，認(rèn)為合適而使用面償還定距打靶，一次性將鐳射對(duì)位孔鉆出；認(rèn)為合適而使用 UV鐳射機(jī)經(jīng)過(guò)鐳射對(duì)位孔定位，加工激光盲孔，用于導(dǎo)通L1層與L2層以及L3層與L4層；激光鐳射后，認(rèn)為合適而使用等離子除膠標(biāo)準(zhǔn)樣式將鐳射對(duì)位孔內(nèi)PP殘膠及盲孔底部的黑色氧氣化銅去除；利用化學(xué)反響，在通過(guò)除膠后的盲孔上沉上銅，導(dǎo)通里外層線路，即L1層與L2層以及L3層與L4層。

作為一種實(shí)行形式，步驟B中靶子核心距線內(nèi)層芯板板邊均為5mm。

作為一種實(shí)行形式，鐳射對(duì)位孔有4個(gè)，那里面一個(gè)與標(biāo)識(shí)△防呆的靶子核心距為15mm，剩下3個(gè)鐳射對(duì)位孔作別與對(duì)應(yīng)的靶子核心的距離均為10mm。

本創(chuàng)造只通過(guò)一次鉆孔（鐳射對(duì)位孔），直接經(jīng)過(guò)鐳射對(duì)位孔定位，只萌生一次誤差，增長(zhǎng)了鐳射盲孔與圖形的對(duì)位精密度，且能夠?qū)⒕芏仍鲩L(zhǎng)到1mil以內(nèi)；況且只消對(duì)工藝施行局部更改，無(wú)須增加成本。

盡管已經(jīng)示出和描寫(xiě)了本創(chuàng)造的實(shí)行例，對(duì)于身手域的平常的技術(shù)擔(dān)任職務(wù)的人而言，可以了解在不擺脫本創(chuàng)造的原理和神魂的事情狀況下可以對(duì)這些個(gè)實(shí)行例施行多種變動(dòng)、改正、調(diào)換和變形，本創(chuàng)造的范圍由所附權(quán)益要求及其等同范圍框定。

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